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      PECVD是什么

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      PECVD是什么

      等離子體增強化學的氣相沉積法。實驗機理:借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。優點:基本溫度低;沉積速率快;成膜質量好,針孔較少,不易龜裂。缺點:設備投資大、成本高,對氣體的純度要求高;對小孔孔徑內表面難以涂層;沉積之后產生的尾氣不易處理。
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      導讀等離子體增強化學的氣相沉積法。實驗機理:借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。優點:基本溫度低;沉積速率快;成膜質量好,針孔較少,不易龜裂。缺點:設備投資大、成本高,對氣體的純度要求高;對小孔孔徑內表面難以涂層;沉積之后產生的尾氣不易處理。

      等離子體增強化學的氣相沉積法。

      實驗機理:借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。

      優點:基本溫度低;沉積速率快;成膜質量好,針孔較少,不易龜裂。

      缺點:設備投資大、成本高,對氣體的純度要求高;對小孔孔徑內表面難以涂層;沉積之后產生的尾氣不易處理。

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      PECVD是什么

      等離子體增強化學的氣相沉積法。實驗機理:借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。優點:基本溫度低;沉積速率快;成膜質量好,針孔較少,不易龜裂。缺點:設備投資大、成本高,對氣體的純度要求高;對小孔孔徑內表面難以涂層;沉積之后產生的尾氣不易處理。
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